规格书 |
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Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1.5V @ 500mA, 2.5A |
电流 - 集电极截止(最大) | 100µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 8 @ 2A, 5V |
功率 - 最大 | 30W |
频率转换 | - |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3DPAK |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 400 V |
集电极最大直流电流 | 4 A |
最小直流电流增益 | 10@10mA@5V|8@2A@5V |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.7@0.1A@0.5A|1@0.2A@1A|1.5@0.5A@2.5A V |
最大集电极基极电压 | 700 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 1250 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
集电极最大直流电流 | 4 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | DPAK |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 1250 |
最大基地发射极电压 | 12 |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 700 |
供应商封装形式 | DPAK |
最大集电极发射极电压 | 400 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 4A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1.5V @ 500mA, 2.5A |
电流 - 集电极截止(最大) | 100µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
供应商设备封装 | D-Pak |
功率 - 最大 | 30W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 8 @ 2A, 5V |
其他名称 | FJD5304DTFTR |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 2000 |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 12 V |
系列 | FJD5304D |
直流集电极/增益hfe最小值 | 10 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 400 V |
单位重量 | 0.009184 oz |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 700 V |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 4 A |
集电极 - 基极电压 | 700 V |
集电极 - 发射极电压 | 400 V |
发射极 - 基极电压 | 12 V |
功率耗散 | 1.25 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | DPAK |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 10 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
集电极电流(DC ) | 4 A |
直流电流增益 | 10 |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :400V |
功耗 | :3W |
DC Collector Current | :4A |
DC Current Gain hFE | :10 |
No. of Pins | :3 |
Continuous Collector Current Ic | :400mA |
Weight (kg) | 0 |
Tariff No. | 85412100 |
associated | 80-4-5 |
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